東芝-3日ぶり反発 ゲート絶縁膜プロセス技術の実デバイスへの適用に成功
東芝<6502.T>が3日ぶり反発。同社は21日に、次世代の半導体パワーデバイスとして期待されるSiC-MOSFET向けに開発してきたゲート絶縁膜プロセス技術をさらに発展させ、今回、実際の縦型デバイスに適用した結果、従来技術と比較して、チャネル領域の抵抗を約40%低減することに成功したと発表した。
この技術を将来的に実用化することで、自動車、鉄道、太陽光発電、エレベータをはじめ様々な分野で利用される各種機器の電力変換器の電力損失を低減することができ、電力消費量およびCO2排出量の削減に貢献することが期待されるとしている。
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