ディスコ-反発 パワー半導体ウエハーの製造効率5割高めたレーザー加工装置を出荷へ

2017/12/12(火) 09:10
 ディスコ<6146.T>が反発。12日付の日経新聞朝刊で、同社が省エネにつながるパワー半導体ウエハーの製造効率を従来比5割高めたレーザー加工装置の出荷を年内にも開始すると報じられた。  炭化ケイ素(SiC)の結晶をレーザーでスライスする独自技術により材料の損失を減らせるという。次世代パワー半導体の課題である製造効率やコストの問題を解決する技術として2020年までに50億円の売り上げを目指すとされる。SiCウエハーメーカー向けに出荷するほか、18年初旬に顧客がテスト加工できるようにディスコの海外拠点に装置を設置するもよう。今後の収益の伸びが期待され、買いが入っている。
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