東芝-4日ぶり反発 パワー半導体の電力損失を大幅低減できるトリプルゲートIGBT開発
東芝<6502.T>が4日ぶり反発。同社は2日、パワー半導体の電力損失を大幅に低減できるトリプルゲートIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を開発したと発表した。
今回開発したトリプルゲートIGBTは、電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の電力損失を全体で最大40.5%低減するという。パワー半導体の高効率化はカーボンニュートラルのカギといわれており、再生可能エネルギーシステムや電気自動車、鉄道、産業機器といったあらゆる電力機器に搭載される電力変換器の高効率化が見込めるとしている。
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